Інші пропозиції STGP10NC60KD Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 за ціною від 35.40 грн до 154.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGP10NC60KD | ST |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kdкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH" IGBT |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGP10NC60KD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10NC60KD - IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: ST
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kd
кількість в упаковці: 10 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.83 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 137.59 грн |
| 5+ | 97.50 грн |
| 10+ | 85.73 грн |
| 25+ | 71.44 грн |
| 50+ | 63.04 грн |
| 100+ | 62.20 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.83 грн |
| 50+ | 64.94 грн |
| 100+ | 58.10 грн |
| 500+ | 43.26 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
IGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.53 грн |
| 10+ | 91.54 грн |
| 100+ | 62.43 грн |
| 500+ | 54.68 грн |
| 2000+ | 50.83 грн |
| 5000+ | 35.40 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10NC60KD - IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10NC60KD - IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 154.78 грн |
| 13+ | 63.71 грн |
| 100+ | 57.84 грн |
| 500+ | 51.97 грн |





