STGP15H60DF STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 161.19 грн |
| 10+ | 90.55 грн |
| 100+ | 82.66 грн |
| 500+ | 64.67 грн |
| 1000+ | 52.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP15H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns, Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції STGP15H60DF за ціною від 54.34 грн до 202.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP15H60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGP15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench H Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |