на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.84 грн |
| 10+ | 96.59 грн |
| 100+ | 79.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP19NC60HD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції STGP19NC60HD за ціною від 75.55 грн до 236.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 40A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 14725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGP19NC60HD Код товару: 183916
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGP19NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |