STGP19NC60SD STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.87 грн |
| 50+ | 148.36 грн |
| 100+ | 135.62 грн |
| 500+ | 106.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP19NC60SD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns, Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off), Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 54.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції STGP19NC60SD за ціною від 67.78 грн до 271.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 54.5nC Kind of package: tube |
на замовлення 486 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq |
на замовлення 986 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| STGP19NC60SD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP19NC60SD - IGBT, 40 A, 1.55 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGP19NC60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 150.53 грн |
| 99+ | 149.01 грн |
| 108+ | 136.20 грн |
| STGP19NC60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 220.79 грн |
| 10+ | 138.94 грн |
| 14+ | 72.01 грн |
| 38+ | 67.78 грн |
| STGP19NC60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
на замовлення 986 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.52 грн |
| 10+ | 156.27 грн |
| 100+ | 106.61 грн |
| 500+ | 89.34 грн |
| 1000+ | 77.33 грн |
| STGP19NC60SD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGP19NC60SD - IGBT, 40 A, 1.55 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGP19NC60SD - IGBT, 40 A, 1.55 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





