STGP20M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 88.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP20M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns, Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 166 W.
Інші пропозиції STGP20M65DF2 за ціною від 59.16 грн до 221.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STGP20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |


