STGP20V60DF

STGP20V60DF STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.48 грн
8+124.60 грн
21+117.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP20V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 40A 167W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns, Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15V, Gate Charge: 116 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 167 W.

Інші пропозиції STGP20V60DF за ціною від 85.33 грн до 289.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP20V60DF STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.37 грн
8+155.27 грн
21+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb20v60df-1850890.pdf IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.76 грн
10+156.83 грн
100+124.95 грн
500+86.85 грн
1000+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics 120dm00079434.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics 120dm00079434.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics 120dm00079434.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00079434.pdf Description: IGBT 600V 40A 167W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.