STGP30H60DFB

STGP30H60DFB STMicroelectronics


en.DM00125119.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.00 грн
50+96.62 грн
100+87.04 грн
500+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

Інші пропозиції STGP30H60DFB за ціною від 58.27 грн до 291.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP30H60DFB STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.41 грн
10+116.61 грн
100+97.61 грн
500+71.58 грн
1000+64.70 грн
2000+58.87 грн
5000+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STGP30H60DFB Виробник : STMICROELECTRONICS 2614848.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGP30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.43 грн
10+198.63 грн
100+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+291.56 грн
61+205.75 грн
72+173.70 грн
100+157.52 грн
500+132.01 грн
1000+118.75 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 149nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.