STGP30H65DFB2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP30H65DFB2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns, Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції STGP30H65DFB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STGP30H65DFB2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
STGP30H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STGP30H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGP30H65DFB2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STGP30H65DFB2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STGP30H65DFB2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.