STGP30H65F STMicroelectronics
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP30H65F STMicroelectronics
Description: IGBT 650V 60A 260W TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns, Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 105 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGP30H65F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP30H65F | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
| STGP30H65F | Виробник : STMicroelectronics |
STGP30H65F THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STGP30H65F | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 650V 60A 260W TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 105 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
товару немає в наявності |