Продукція > STMICROELECTRONICS > STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

STGP30M65DF2 STMicroelectronics

stgp30m65df2-1851091.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.85 грн
25+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGP30M65DF2 за ціною від 84.00 грн до 248.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.49 грн
8+120.19 грн
21+113.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.56 грн
3+198.75 грн
8+144.23 грн
21+136.06 грн
2000+131.53 грн
6000+130.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.84 грн
50+121.25 грн
100+109.72 грн
500+84.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.