STGP30M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 220.60 грн |
| 50+ | 106.15 грн |
| 100+ | 95.82 грн |
| 500+ | 72.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP30M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.
Інші пропозиції STGP30M65DF2 за ціною від 64.87 грн до 239.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 80nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| STGP30M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.93 грн |
| 10+ | 95.88 грн |
| 100+ | 78.98 грн |
| 500+ | 71.67 грн |
| 1000+ | 71.08 грн |
| 2000+ | 64.87 грн |
| STGP30M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.08 грн |
| 3+ | 180.74 грн |
| 10+ | 94.91 грн |
| 28+ | 89.96 грн |