Продукція > STMICROELECTRONICS > STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

STGP30M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00155781.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.84 грн
10+148.80 грн
25+85.51 грн
100+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGP30M65DF2 за ціною від 73.70 грн до 226.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.64 грн
10+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.46 грн
50+107.26 грн
100+96.83 грн
500+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.13 грн
3+196.45 грн
10+174.98 грн
50+167.42 грн
150+150.39 грн
500+140.93 грн
1000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.