STGP3NC120HD STMicroelectronics
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP3NC120HD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGP3NC120HD - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGP3NC120HD за ціною від 51.31 грн до 200.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB Collector current: 7A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Gate charge: 24nC |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB Collector current: 7A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Gate charge: 24nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1200V 14A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 75 W |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP3NC120HD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP3NC120HD - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGP3NC120HD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |