STGP40V60F STMicroelectronics
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 216.90 грн |
| 60+ | 208.64 грн |
| 100+ | 201.56 грн |
| 250+ | 188.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP40V60F STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGP40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: V, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STGP40V60F за ціною від 118.60 грн до 317.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGP40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGP40V60F | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STGP40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STGP40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
STGP40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGP40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |


