на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 85.54 грн |
| 10+ | 36.90 грн |
| 1000+ | 32.01 грн |
| 5000+ | 28.98 грн |
| 10000+ | 28.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP4M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 133 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns, Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 15.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 68 W.
Інші пропозиції STGP4M65DF2 за ціною від 26.70 грн до 98.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP4M65DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGP4M65DF2 - IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGP4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STGP4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGP4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STGP4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 15.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Power - Max: 68 W |
товару немає в наявності |