Продукція > STMICROELECTRONICS > STGP4M65DF2
STGP4M65DF2

STGP4M65DF2 STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0002807825-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGP4M65DF2 - IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.23 грн
17+48.99 грн
100+41.82 грн
500+32.11 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP4M65DF2 STMICROELECTRONICS

Description: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 133 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns, Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 15.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 68 W.

Інші пропозиції STGP4M65DF2 за ціною від 27.96 грн до 84.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP4M65DF2 STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgp4m65df2-1851184.pdf IGBT Transistors Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.42 грн
10+37.56 грн
100+30.97 грн
500+29.87 грн
1000+29.58 грн
5000+28.18 грн
10000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics dm00248.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics dm00248.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics dm00248.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00248842.pdf STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 STGP4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00248842.pdf Description: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.