STGSB200M65DF2AG

STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics


en.DM00710944.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Power - Max: 714 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Part Status: Active
Gate Charge: 554 nC
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1595.85 грн
10+1104.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK, Power - Max: 714 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 216 A, Part Status: Active, Gate Charge: 554 nC, Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V, Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A, Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 9-PowerSMD, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT.

Інші пропозиції STGSB200M65DF2AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGSB200M65DF2AG STGSB200M65DF2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00710944.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.