STGSH50M120D STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1369.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGSH50M120D STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Dauerkollektorstrom: 69A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STGSH50M120D за ціною від 937.03 грн до 1664.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGSH50M120D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 536 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGSH50M120D | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGSH50M120D | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Dauerkollektorstrom: 69A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGSH50M120D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 536 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |