Продукція > STMICROELECTRONICS > STGSH80HB65DAG
STGSH80HB65DAG

STGSH80HB65DAG STMICROELECTRONICS

4015108.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1263.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGSH80HB65DAG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Dauerkollektorstrom: 83A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STGSH80HB65DAG за ціною від 1263.16 грн до 1357.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGSH80HB65DAG STGSH80HB65DAG STMICROELECTRONICS 4015108.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1357.45 грн
5+1310.31 грн
10+1263.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAG STGSH80HB65DAG STMicroelectronics IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAG 4015108.pdf
STGSH80HB65DAG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1357.45 грн
5+1310.31 грн
10+1263.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAG
STGSH80HB65DAG
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.