STGSH80HB65DAG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 83A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1529.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGSH80HB65DAG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 83A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGSH80HB65DAG за ціною від 1279.04 грн до 1912.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGSH80HB65DAG | Виробник : STMicroelectronics | IGBT Transistors Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGSH80HB65DAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 83A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STGSH80HB65DAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STGSH80HB65DAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товару немає в наявності |