STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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Технічний опис STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Dauerkollektorstrom: 83A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції STGSH80HB65DAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STGSH80HB65DAG | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMITtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Dauerkollektorstrom: 83A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STGSH80HB65DAG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Dauerkollektorstrom: 83A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGSH80HB65DAG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGSH80HB65DAG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 83A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)