STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1767.94 грн |
| 10+ | 1548.78 грн |
| 25+ | 1256.19 грн |
| 50+ | 1217.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A, Case: ACEPACK SMIT, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 68A, Power dissipation: 250W, Pulsed collector current: 269A, Max. off-state voltage: 650V, Electrical mounting: SMT.
Інші пропозиції STGSH80HB65DAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STGSH80HB65DAG | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 269A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: SMT |
товару немає в наявності |