STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.29 грн |
| 30+ | 491.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns, Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 288 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 441 W.
Інші пропозиції STGW100H65FB2-4 за ціною від 319.14 грн до 788.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 145A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 441W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 288nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 91A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGW100H65FB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 441W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 288nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 91A Pulsed collector current: 300A |
товару немає в наявності |