Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW100H65FB2-4
STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4 STMICROELECTRONICS

3158465.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+553.81 грн
5+478.60 грн
10+402.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW100H65FB2-4 STMICROELECTRONICS

Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns, Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 288 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 441 W.

Інші пропозиції STGW100H65FB2-4 за ціною від 317.70 грн до 690.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.40 грн
30+488.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw100h65fb2_4-1916582.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.63 грн
10+583.51 грн
25+470.07 грн
100+419.79 грн
250+406.83 грн
600+371.79 грн
1200+317.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.