Технічний опис STGW19NC60HD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 140 W.
Інші пропозиції STGW19NC60HD за ціною від 81.75 грн до 268.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGW19NC60HD | ST |
42A; 600V; 140W; IGBT STGW19NC60HD TSTGW19nc60hdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 140W Gate charge: 53nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Mounting: THT |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 42A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 140 W |
на замовлення 4147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 42A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 137.55 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 160.70 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 140W
Gate charge: 53nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 140W
Gate charge: 53nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Mounting: THT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.04 грн |
| 3+ | 216.73 грн |
| 10+ | 172.38 грн |
| 30+ | 161.50 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
Description: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.25 грн |
| 30+ | 141.78 грн |
| 120+ | 116.12 грн |
| 510+ | 91.30 грн |
| 1020+ | 84.85 грн |
| 2010+ | 81.75 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







