Продукція > STM > STGW20NB60KD

STGW20NB60KD STM


stgw20nb60kd.pdf
Виробник: STM
N- Channel, 20A, 600V, TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW20NB60KD STM

Description: IGBT 600V 50A 170W TO247, Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 170 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 85 nC, Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V.

Інші пропозиції STGW20NB60KD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW20NB60KD Виробник : STMicroelectronics STGW20NB60KD_STM.pdf Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NB60KD STGW20NB60KD Виробник : STMicroelectronics STGW20NB60KD.pdf Description: IGBT 600V 50A 170W TO247
Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.