Технічний опис STGW20NB60KD STM
Description: IGBT 600V 50A 170W TO247, Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 170 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 85 nC, Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V.
Інші пропозиції STGW20NB60KD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW20NB60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
||
|
STGW20NB60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 50A 170W TO247Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 170 W Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 85 nC Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
товару немає в наявності |

