Продукція > Транзистори > IGBT > STGW20NC60VD
STGW20NC60VD

STGW20NC60VD

STGW20NC60VD.pdf
Код товару: 33417
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 30 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 31/100
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+130.00 грн
10+120.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW20NC60VD ST

  • IGBT, 600V, 20A, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:60A
  • Max Voltage Vce Sat:2.5V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Ic @ Vce Sat:20A
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:75ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:100A
  • Rise Time:11.5ns
  • SMD Marking:.

Інші пропозиції STGW20NC60VD за ціною від 101.88 грн до 362.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics STGW20NC60VD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.87 грн
5+206.31 грн
9+112.07 грн
24+106.13 грн
90+102.73 грн
120+101.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics en.CD00003670.pdf description IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+354.61 грн
10+229.28 грн
100+148.97 грн
600+124.89 грн
1200+115.11 грн
3000+108.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics en.CD00003670.pdf description Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.63 грн
30+194.82 грн
120+160.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMICROELECTRONICS SGSTS36659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description STGW20NC60VD.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.87 грн
5+206.31 грн
9+112.07 грн
24+106.13 грн
90+102.73 грн
120+101.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description en.CD00003670.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.61 грн
10+229.28 грн
100+148.97 грн
600+124.89 грн
1200+115.11 грн
3000+108.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description en.CD00003670.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+362.63 грн
30+194.82 грн
120+160.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description SGSTS36659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STGW20NC60VD
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BZX55-C12
Код товару: 26387
1 Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C12
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
у наявності: 64 шт
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1086 шт
  • 1086 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B72214S0141K101
Код товару: 155260
Додати до обраних Обраний товар
SIOV_Leaded_StandarD.pdf?ref_disty=digikey
Пасивні компоненти > Варистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3W-4150 BY OMZ (OMRON ELECTRONIC COMPONENTS)
Код товару: 208280
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF
Код товару: 24017
7 Додати до обраних Обраний товар
description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 89 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 144 шт
  • 37 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 35V EHV SMD sizeB (EHV100M35RB) (електролітичний конденсатор SMD)
Код товару: 23400
Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
10uF 35V EHV SMD sizeB (EHV100M35RB) (електролітичний конденсатор SMD)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 10 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Серія: EHV, SMD високотемпературні
Температурний діапазон: -40...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size B
Макс. пульсуючий струм: 27 мА
у наявності: 130 шт
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 159 шт
  • 159 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
12+1.80 грн
100+1.60 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.