STGW25H120DF2 STMicroelectronics
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 128.38 грн |
| 30+ | 126.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW25H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 303 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGW25H120DF2 за ціною від 130.85 грн до 373.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 303 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STGW25H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W |
товару немає в наявності |