Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW25H120DF2
STGW25H120DF2

STGW25H120DF2 STMicroelectronics

en.DM00066775.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.15 грн
30+172.87 грн
120+142.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW25H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 303 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGW25H120DF2 за ціною від 259.30 грн до 368.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 STMICROELECTRONICS 4726815.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.22 грн
10+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 STMicroelectronics stgw25h120df2-1850868.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2 4726815.pdf
STGW25H120DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+368.22 грн
10+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2 stgw25h120df2-1850868.pdf
STGW25H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.