
STGW25H120F2 STMicroelectronics
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 543.70 грн |
10+ | 449.85 грн |
25+ | 369.16 грн |
100+ | 316.31 грн |
250+ | 298.70 грн |
600+ | 281.09 грн |
1200+ | 240.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW25H120F2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGW25H120F2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 375 W |
товару немає в наявності |
|
STGW25H120F2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W |
товару немає в наявності |