STGW25M120DF3 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 480.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW25M120DF3 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 265 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGW25M120DF3 за ціною від 182.73 грн до 639.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 265 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 85nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STGW25M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 85nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W |
товару немає в наявності |