STGW25S120DF3

STGW25S120DF3 STMicroelectronics


stgw25s120df3-956042.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW25S120DF3 STMicroelectronics

Description: IGBT 1200V 25A TO247, Power - Max: 375 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Gate Charge: 80 nC, Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V, Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Reverse Recovery Time (trr): 265 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STGW25S120DF3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW25S120DF3 STGW25S120DF3 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116918.pdf Description: IGBT 1200V 25A TO247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.