STGW28IH125DF STMicroelectronics
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW28IH125DF STMicroelectronics
Description: IGBT 1250V 60A 375W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/128ns, Switching Energy: 720µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 114 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGW28IH125DF за ціною від 135.87 грн до 354.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics | IGBT Transistors 1250V 25A trench gate field-stop IGBT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW28IH125DF Код товару: 177614 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1250V 60A 375W TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/128ns Switching Energy: 720µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 114 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 375 W |
товар відсутній |