
STGW28IH125DF STMicroelectronics
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW28IH125DF STMicroelectronics
Description: IGBT 1250V 60A 375W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/128ns, Switching Energy: 720µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 114 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGW28IH125DF за ціною від 111.55 грн до 328.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STGW28IH125DF Код товару: 177614
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/128ns Switching Energy: 720µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 114 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 375 W |
товару немає в наявності |