STGW30H60DFB STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 592+ | 80.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
592 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW30H60DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGW30H60DFB за ціною від 64.40 грн до 281.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 260W Gate charge: 149nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
на замовлення 4694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 592 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 195.76 грн |
| 107+ | 133.31 грн |
| 141+ | 100.98 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 196.05 грн |
| 10+ | 133.51 грн |
| 100+ | 101.13 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 196.88 грн |
| 10+ | 122.15 грн |
| 20+ | 109.69 грн |
| 30+ | 103.87 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.00 грн |
| 30+ | 117.69 грн |
| 120+ | 95.63 грн |
| 510+ | 74.53 грн |
| 1020+ | 68.98 грн |
| 2010+ | 64.40 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 281.61 грн |
| 87+ | 163.48 грн |
| 100+ | 148.36 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






