Технічний опис STGW30H60DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGW30H60DFB за ціною від 100.76 грн до 280.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 260W Gate charge: 149nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STGW30H60DFB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 592 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 195.32 грн |
| 107+ | 133.01 грн |
| 141+ | 100.76 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 195.61 грн |
| 10+ | 133.21 грн |
| 100+ | 100.91 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 198.70 грн |
| 10+ | 123.28 грн |
| 20+ | 110.70 грн |
| 30+ | 104.83 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 280.98 грн |
| 87+ | 163.12 грн |
| 100+ | 148.04 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






