STGW30H65FB STMicroelectronics
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 115.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW30H65FB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H65FB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench HB Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGW30H65FB за ціною від 118.78 грн до 312.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW30H65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H65FB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW30H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |