Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW30M65DF2
STGW30M65DF2

STGW30M65DF2 STMicroelectronics

2169389178057990dm0017.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGW30M65DF2 за ціною від 132.68 грн до 305.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 STMicroelectronics 2169389178057990dm0017.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.01 грн
30+161.79 грн
120+132.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 STMicroelectronics stgw30m65df2-1850783.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 STMICROELECTRONICS 3758624.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.58 грн
10+258.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 2169389178057990dm0017.pdf
STGW30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 en.DM00177695.pdf
STGW30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.01 грн
30+161.79 грн
120+132.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 stgw30m65df2-1850783.pdf
STGW30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 3758624.pdf
STGW30M65DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+289.58 грн
10+258.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.