STGW30NC120HD

STGW30NC120HD STMicroelectronics


stgw30nc120hd-1850903.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-CHANNEL IGBT
на замовлення 3596 шт:

термін постачання 994-1003 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354.26 грн
25+ 276.77 грн
100+ 208.84 грн
250+ 186.3 грн
600+ 163.1 грн
1200+ 155.14 грн
3000+ 154.48 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30NC120HD STMicroelectronics

Description: IGBT 1200V 60A 220W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 152 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/275ns, Switching Energy: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 220 W.

Інші пропозиції STGW30NC120HD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGW30NC120HD STGW30NC120HD
Код товару: 52004
stgw30nc120hd.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics 1404310229292126cd000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics 1404310229292126cd000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics 1404310229292126cd000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics stgw30nc120hd.pdf Description: IGBT 1200V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/275ns
Switching Energy: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 220 W
товар відсутній
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Виробник : STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній