Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW30NC60KD
STGW30NC60KD

STGW30NC60KD STMicroelectronics

9657cd00175352.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 60A 200W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns, Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 96 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції STGW30NC60KD за ціною від 132.13 грн до 545.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+198.6 грн
Мінімальне замовлення: 59
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.69 грн
3+ 179.42 грн
6+ 139.78 грн
16+ 132.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.42 грн
3+ 223.59 грн
6+ 167.74 грн
16+ 158.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+335.67 грн
10+ 329.66 грн
25+ 289.89 грн
100+ 276.74 грн
250+ 255.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+355.01 грн
38+ 312.19 грн
100+ 298.03 грн
250+ 274.63 грн
Мінімальне замовлення: 33
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics stgw30nc60kd-1851186.pdf IGBT Transistors 30A 600v IGBT
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.35 грн
10+ 472.94 грн
25+ 334.47 грн
100+ 305.77 грн
250+ 278.39 грн
600+ 265.71 грн
1200+ 249.02 грн
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics en.CD00175352.pdf Description: IGBT 600V 60A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns
Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+499.75 грн
30+ 384.18 грн
120+ 343.75 грн
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+525.73 грн
10+ 512.47 грн
25+ 425.89 грн
100+ 373.82 грн
250+ 313.4 грн
600+ 272.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMICROELECTRONICS 1700548.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60KD - IGBT, 60 A, 2.1 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+545.22 грн
10+ 408.16 грн
100+ 331.02 грн
500+ 282.34 грн
1000+ 248.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30NC60KD
Код товару: 155289 		en.CD00175352.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW30NC60KD Виробник : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній