STGW30NC60VD

STGW30NC60VD STMicroelectronics


stgw30nc60vd.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+160.57 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30NC60VD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns, Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off), Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції STGW30NC60VD за ціною від 148.04 грн до 398.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW30NC60VD STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics stgw30nc60vd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+171.05 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics stgw30nc60vd-1850668.pdf IGBTs PowerMESH
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.47 грн
25+203.62 грн
100+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Description: IGBT 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics stgw30nc60vd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics 1718cd00152202.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics 1718cd00152202.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD Виробник : STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.