Продукція > Транзистори > IGBT > STGW30NC60WD
STGW30NC60WD

STGW30NC60WD

datasheet_stgw30nc60wd.pdf
Код товару: 19151
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 60 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 30 А
у наявності: 41 шт
  • 35 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+125.00 грн
10+119.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGW30NC60WD за ціною від 196.81 грн до 443.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.00 грн
10+244.34 грн
20+222.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics stgw30nc60wd.pdf Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.82 грн
30+212.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.46 грн
10+277.99 грн
25+275.23 грн
60+219.01 грн
120+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+422.05 грн
51+278.38 грн
52+275.62 грн
63+219.32 грн
120+201.20 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.59 грн
10+279.32 грн
25+276.50 грн
60+216.46 грн
120+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+443.59 грн
51+279.32 грн
52+276.50 грн
63+216.46 грн
120+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMICROELECTRONICS SGSTS31082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics stgw30nc60wd.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.00 грн
10+244.34 грн
20+222.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD stgw30nc60wd.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.82 грн
30+212.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+421.46 грн
10+277.99 грн
25+275.23 грн
60+219.01 грн
120+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+422.05 грн
51+278.38 грн
52+275.62 грн
63+219.32 грн
120+201.20 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.59 грн
10+279.32 грн
25+276.50 грн
60+216.46 грн
120+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD cd0007077.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+443.59 грн
51+279.32 грн
52+276.50 грн
63+216.46 грн
120+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD SGSTS31082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STGW30NC60WD
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD stgw30nc60wd.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

33 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4559
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
33 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 11276 шт
  • 6870 шт - склад
  • 1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 389 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5000 шт
  • 5000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3661
Додати до обраних Обраний товар
pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 6865 шт
  • 6475 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4900 шт
  • 4900 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3482
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 3,3 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1939 шт
  • 795 шт - склад
  • 87 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1057 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
  • 8000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
680uF 250V ELP 25x50mm (ELP681M2EBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2595
Додати до обраних Обраний товар
ELP_080522.pdf
680uF 250V ELP 25x50mm (ELP681M2EBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 мкФ
Номін. напруга: 250 В
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°С
Габарити: 25x50 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 84 шт
  • 69 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+98.00 грн
10+91.00 грн
100+83.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C18
Код товару: 2473
Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C18
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 18 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14,4 мВ/K
у наявності: 292 шт
  • 184 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 108 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 45 шт
  • 45 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.