Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW30V60DF
STGW30V60DF

STGW30V60DF STMicroelectronics

27dm00079435.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGW30V60DF за ціною від 110.27 грн до 304.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+174.45 грн
70+ 166.96 грн
73+ 160.6 грн
100+ 149.61 грн
250+ 134.32 грн
500+ 125.45 грн
1000+ 122.37 грн
Мінімальне замовлення: 67
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.83 грн
10+ 197.84 грн
25+ 180.09 грн
100+ 156.75 грн
250+ 134.63 грн
600+ 116.18 грн
1200+ 114.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df-1850830.pdf IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.77 грн
10+ 213.13 грн
25+ 161.41 грн
100+ 147.47 грн
250+ 136.84 грн
600+ 116.25 грн
1200+ 110.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.87 грн
30+ 185.05 грн
120+ 158.63 грн
510+ 132.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMICROELECTRONICS 2371818.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+245.16 грн
10+ 185.55 грн
100+ 156.48 грн
500+ 139.77 грн
1000+ 123.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.1 грн
3+ 212.42 грн
5+ 162.6 грн
14+ 153.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.92 грн
3+ 264.71 грн
5+ 195.13 грн
14+ 184.33 грн
STGW30V60DF
Код товару: 161376 		stgb30v60df.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній