Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW30V60DF
STGW30V60DF

STGW30V60DF STMicroelectronics

27dm00079435.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+130.95 грн
10+126.66 грн
25+110.95 грн
100+99.39 грн
250+85.67 грн
600+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGW30V60DF за ціною від 82.84 грн до 336.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+139.50 грн
91+134.93 грн
103+118.19 грн
111+105.87 грн
250+91.27 грн
600+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.27 грн
30+146.07 грн
120+119.60 грн
510+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.74 грн
3+234.70 грн
6+179.65 грн
14+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMICROELECTRONICS 2371818.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.27 грн
10+296.39 грн
100+250.28 грн
500+190.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df-1850830.pdf IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.37 грн
10+309.75 грн
25+151.19 грн
100+124.03 грн
250+104.95 грн
600+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.89 грн
3+292.47 грн
6+215.59 грн
14+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF
Код товару: 161376
Додати до обраних Обраний товар

stgb30v60df.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.