Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW30V60DF
STGW30V60DF

STGW30V60DF STMicroelectronics

27dm00079435.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+141.52 грн
91+136.88 грн
103+119.91 грн
111+107.41 грн
250+92.59 грн
600+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGW30V60DF за ціною від 83.80 грн до 317.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.29 грн
10+148.26 грн
25+129.87 грн
100+116.34 грн
250+100.29 грн
600+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.27 грн
3+219.03 грн
5+186.50 грн
14+176.18 грн
30+173.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.72 грн
30+138.85 грн
120+113.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.32 грн
10+153.32 грн
100+91.42 грн
1200+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.52 грн
3+272.95 грн
5+223.80 грн
14+211.42 грн
30+208.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMICROELECTRONICS 2371818.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+317.93 грн
10+307.67 грн
100+259.81 грн
500+197.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF
Код товару: 161376
Додати до обраних Обраний товар

stgb30v60df.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.