Продукція > STM > STGW35NB60SD
STGW35NB60SD

STGW35NB60SD STM


STGW35NB60SD.PDF
Виробник: STM
IGBT 600V 30A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 4 шт:

термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW35NB60SD STM

Description: IGBT 600V 70A 200W TO247, Power - Max: 200 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Gate Charge: 83 nC, Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V, Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STGW35NB60SD за ціною від 315.03 грн до 498.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW35NB60SD STGW35NB60SD Виробник : STMicroelectronics cd00074372-1796426.pdf IGBT Transistors N Ch 35A 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.45 грн
10+441.64 грн
25+363.12 грн
100+315.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW35NB60SD STGW35NB60SD Виробник : STMicroelectronics stgw35nb60sd.html Description: IGBT 600V 70A 200W TO247
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.