STGW39NC60VD

STGW39NC60VD STMicroelectronics


cd0007768.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+196.26 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW39NC60VD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns, Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off), Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 126 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції STGW39NC60VD за ціною від 139.01 грн до 543.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+211.91 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.54 грн
7+146.91 грн
18+139.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.85 грн
7+183.07 грн
18+166.81 грн
1020+160.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00077683.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+482.28 грн
10+433.80 грн
100+250.07 грн
500+215.62 грн
1000+183.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics en.CD00077683.pdf Description: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.89 грн
30+278.57 грн
120+232.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics stgw39nc60vd-1851188.pdf IGBTs N-CHANNEL MFT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.15 грн
25+306.06 грн
100+222.16 грн
250+193.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD Виробник : ST en.CD00077683.pdf 80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+172.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD
Код товару: 116027
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST stgw39nc60vd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 33/178
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD Виробник : STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.