Продукція > ST > STGW39NC60VD
STGW39NC60VD

STGW39NC60VD

info-tstgw39nc60vd.pdf
Виробник: ST
80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+192.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW39NC60VD ST

Description: IGBT 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns, Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off), Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 126 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції STGW39NC60VD за ціною від 149.83 грн до 395.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+242.71 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+243.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 220A
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 126nC
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.97 грн
10+219.25 грн
15+204.86 грн
30+183.69 грн
120+149.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics en.CD00077683.pdf Description: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.58 грн
30+214.39 грн
120+177.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics en.CD00077683.pdf IGBTs N-CHANNEL MFT
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMICROELECTRONICS 2307225.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD cd0007768.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+242.71 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD cd0007768.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+243.34 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 220A
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 126nC
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.97 грн
10+219.25 грн
15+204.86 грн
30+183.69 грн
120+149.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.58 грн
30+214.39 грн
120+177.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs N-CHANNEL MFT
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD 2307225.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.