STGW39NC60VD STMicroelectronics
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 147.29 грн |
| 87+ | 135.25 грн |
| 120+ | 126.5 грн |
| 180+ | 115.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW39NC60VD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STGW39NC60VD за ціною від 164.3 грн до 425.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 126nC Case: TO247-3 |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 126nC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-CHANNEL MFT |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STGW39NC60VD | Виробник : ST |
80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STGW39NC60VD Код товару: 116027 |
Виробник : ST |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,7 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 250 W td(on)/td(off) 100-150 град: 33/178 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGW39NC60VD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |