Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW40H120DF2
STGW40H120DF2

STGW40H120DF2 STMicroelectronics

en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.96 грн
3+438.61 грн
5+414.29 грн
10+369.01 грн
30+343.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW40H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 468 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Active, Gate Charge: 187 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 488 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STGW40H120DF2 за ціною від 242.41 грн до 534.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 187 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.10 грн
30+288.63 грн
120+242.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMICROELECTRONICS en.DM00066778.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.85 грн
5+515.34 грн
10+495.02 грн
50+441.55 грн
100+390.17 грн
250+373.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics stgw40h120df2-1850670.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 187 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.10 грн
30+288.63 грн
120+242.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+534.85 грн
5+515.34 грн
10+495.02 грн
50+441.55 грн
100+390.17 грн
250+373.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 stgw40h120df2-1850670.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.