Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW40H120DF2
STGW40H120DF2

STGW40H120DF2 STMicroelectronics

en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+501.26 грн
3+424.19 грн
5+396.13 грн
10+353.22 грн
30+337.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW40H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 488 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns, Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 187 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.

Інші пропозиції STGW40H120DF2 за ціною від 253.04 грн до 656.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 187 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.41 грн
30+305.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics 1398968307029191dm0006.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+560.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics 1398968307029191dm0006.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+566.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics stgw40h120df2-1850670.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+656.12 грн
10+645.91 грн
25+326.90 грн
100+275.71 грн
250+253.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMICROELECTRONICS 2371820.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 187 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.41 грн
30+305.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 1398968307029191dm0006.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+560.15 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 1398968307029191dm0006.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+566.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 stgw40h120df2-1850670.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.12 грн
10+645.91 грн
25+326.90 грн
100+275.71 грн
250+253.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 2371820.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.