STGW40H120DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 504.15 грн |
| 3+ | 438.77 грн |
| 5+ | 414.44 грн |
| 10+ | 369.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 468 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Active, Gate Charge: 187 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 488 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STGW40H120DF2 за ціною від 241.15 грн до 625.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 468 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 187 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 488 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW40H120DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H120DF2 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW40H120DF2 | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |