
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 407.87 грн |
30+ | 221.14 грн |
120+ | 183.49 грн |
510+ | 146.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGW40H65DFB-4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STGW40H65DFB-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STGW40H65DFB-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STGW40H65DFB-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STGW40H65DFB-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STGW40H65DFB-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal |
товару немає в наявності |