STGW40H65DFB-4

STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics


en.DM00269316.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.87 грн
30+221.14 грн
120+183.49 грн
510+146.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 200µJ (on), 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGW40H65DFB-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW40H65DFB-4 Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 STGW40H65DFB-4 Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb_4-1850997.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.