Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW40H65DFB
STGW40H65DFB

STGW40H65DFB STMicroelectronics

STGW40H65DFB.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.92 грн
10+133.35 грн
30+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW40H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGW40H65DFB за ціною від 75.25 грн до 309.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMICROELECTRONICS en.DM00300212.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+130.06 грн
100+128.43 грн
500+116.99 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics en.DM00300212.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
30+126.00 грн
120+102.61 грн
510+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics en.DM00300212.pdf IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.04 грн
10+135.41 грн
100+96.15 грн
600+80.12 грн
1200+79.43 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.37 грн
10+173.97 грн
100+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.19 грн
82+174.44 грн
118+119.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.60 грн
10+130.06 грн
100+128.43 грн
500+116.99 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.63 грн
30+126.00 грн
120+102.61 грн
510+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.04 грн
10+135.41 грн
100+96.15 грн
600+80.12 грн
1200+79.43 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB stgw40h65dfb.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+308.37 грн
10+173.97 грн
100+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB stgw40h65dfb.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+309.19 грн
82+174.44 грн
118+119.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB stgw40h65dfb.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.