STGW40H65DFB STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 185.90 грн |
| 10+ | 144.68 грн |
| 30+ | 117.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGW40H65DFB за ціною від 75.47 грн до 302.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGW40H65DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| STGW40H65DFB |
|
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STGW40H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGW40H65DFB | Виробник : STM |
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |