Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW40H65DFB
STGW40H65DFB

STGW40H65DFB STMicroelectronics

stgw40h65dfb.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+101.97 грн
1200+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW40H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGW40H65DFB за ціною від 96.66 грн до 284.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+109.81 грн
1200+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+204.07 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.53 грн
5+181.62 грн
10+177.79 грн
14+171.66 грн
90+165.53 грн
120+164.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+233.62 грн
10+232.44 грн
25+157.47 грн
100+126.60 грн
250+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+247.61 грн
73+167.75 грн
100+134.86 грн
250+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb-1850810.pdf IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.92 грн
10+243.66 грн
25+171.41 грн
100+126.54 грн
250+114.77 грн
600+108.15 грн
1200+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.43 грн
5+226.33 грн
10+213.35 грн
14+205.99 грн
90+198.63 грн
120+197.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMICROELECTRONICS 2371821.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.87 грн
10+210.45 грн
100+195.59 грн
500+168.59 грн
1000+142.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00300212.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.90 грн
30+150.38 грн
120+123.05 грн
510+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.