STGW40H65FB STMicroelectronics
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 131.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40H65FB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench HB Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGW40H65FB за ціною від 120.28 грн до 342.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW40H65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STGW40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |