STGW40M120DF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 462.98 грн |
| 30+ | 254.05 грн |
| 120+ | 211.87 грн |
| 510+ | 169.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40M120DF3 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 355 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGW40M120DF3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW40M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STGW40M120DF3 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGW40M120DF3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGW40M120DF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)