Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGW40V60DF за ціною від 119.34 грн до 301.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 567 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGW40V60DF | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.34 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 119.59 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 158.69 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 158.69 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.85 грн |
| 5+ | 172.38 грн |
| 10+ | 159.83 грн |
| 30+ | 147.27 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.88 грн |
| 30+ | 160.26 грн |
| 120+ | 131.47 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







