Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGW40V60DF за ціною від 99.23 грн до 323.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW40V60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STGW40V60DF | Виробник : STM |
IGBT 600V 80A 283W TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |