
STGW40V60DF STMicroelectronics
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW40V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGW40V60DF за ціною від 111.82 грн до 386.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40V60DF Код товару: 156078
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STGW40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |