Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW50H65DFB2-4

STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics

stgw50h65dfb2-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+300.10 грн
45+272.86 грн
46+268.98 грн
100+230.57 грн
500+202.53 грн
600+188.45 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns, Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.

Інші пропозиції STGW50H65DFB2-4 за ціною від 147.71 грн до 310.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.52 грн
10+273.23 грн
25+269.35 грн
100+230.89 грн
500+202.81 грн
600+188.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.72 грн
10+221.79 грн
25+153.83 грн
600+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.