Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW60H65DFB
STGW60H65DFB

STGW60H65DFB STMicroelectronics

9dm00079448.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+238.33 грн
25+179.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW60H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGW60H65DFB за ціною від 133.56 грн до 472.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics 9dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+256.66 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00079448.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.65 грн
30+202.38 грн
120+167.73 грн
510+133.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008657982-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+384.23 грн
10+328.06 грн
100+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.00 грн
3+329.57 грн
4+247.18 грн
10+234.33 грн
120+233.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgw60h65dfb-1850812.pdf IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.99 грн
10+376.37 грн
25+210.44 грн
100+174.16 грн
250+148.04 грн
600+146.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.80 грн
3+410.70 грн
4+296.61 грн
10+281.19 грн
120+280.29 грн
3000+272.12 грн
9000+270.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics 9dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB
Код товару: 175740
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00079448.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics 9dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB Виробник : STMicroelectronics 9dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.