STGW60H65DFB


en.DM00079448.pdf
Код товару: 175740
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGW60H65DFB за ціною від 145.41 грн до 403.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.01 грн
30+194.24 грн
120+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.89 грн
73+195.74 грн
120+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.55 грн
3+294.37 грн
5+270.05 грн
10+237.34 грн
15+218.05 грн
30+193.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008657982-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.72 грн
10+212.15 грн
100+175.57 грн
500+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.DM00079448.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
30+219.52 грн
120+182.27 грн
510+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.DM00079448.pdf IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.dm00079448.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+243.01 грн
30+194.24 грн
120+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+244.89 грн
73+195.74 грн
120+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+358.55 грн
3+294.37 грн
5+270.05 грн
10+237.34 грн
15+218.05 грн
30+193.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB SGST-S-A0008657982-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+374.72 грн
10+212.15 грн
100+175.57 грн
500+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.DM00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.66 грн
30+219.52 грн
120+182.27 грн
510+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.DM00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB en.dm00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.