Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGW60H65DFB за ціною від 145.41 грн до 403.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 175.95 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 175.95 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 183.11 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 243.01 грн |
| 30+ | 194.24 грн |
| 120+ | 192.27 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 244.89 грн |
| 73+ | 195.74 грн |
| 120+ | 193.75 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 358.55 грн |
| 3+ | 294.37 грн |
| 5+ | 270.05 грн |
| 10+ | 237.34 грн |
| 15+ | 218.05 грн |
| 30+ | 193.73 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 374.72 грн |
| 10+ | 212.15 грн |
| 100+ | 175.57 грн |
| 500+ | 156.24 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 403.66 грн |
| 30+ | 219.52 грн |
| 120+ | 182.27 грн |
| 510+ | 145.41 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







