STGW60H65FB

STGW60H65FB STMicroelectronics


en.DM00094070.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.28 грн
30+ 253.09 грн
120+ 216.93 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW60H65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGW60H65FB за ціною від 187.57 грн до 391.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGW60H65FB STGW60H65FB Виробник : STMICROELECTRONICS 2614850.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+391.47 грн
10+ 280.15 грн
100+ 214.54 грн
500+ 187.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGW60H65FB STGW60H65FB
Код товару: 112850
en.DM00094070.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STGW60H65FB STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics 37751432937114880dm00094070.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW60H65FB STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics 37751432937114880dm00094070.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics 37751432937114880dm00094070.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00094070.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGW60H65FB STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics stgw60h65fb-1850814.pdf IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
товар відсутній
STGW60H65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00094070.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
товар відсутній