Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW75H65DFB2-4
STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics

stgw75h65dfb2-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns, Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції STGW75H65DFB2-4 за ціною від 325.66 грн до 581.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.02 грн
30+325.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.