Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW75H65DFB2-4
STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4 STMICROELECTRONICS

3158466.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW75H65DFB2-4 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.16 грн
5+443.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW75H65DFB2-4 STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns, Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції STGW75H65DFB2-4 за ціною від 268.97 грн до 800.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2_4-1890323.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.39 грн
10+510.16 грн
100+370.05 грн
600+326.64 грн
1200+293.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.18 грн
30+344.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.83 грн
2+462.10 грн
6+436.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.20 грн
2+575.85 грн
6+524.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.21 грн
10+432.11 грн
25+295.02 грн
100+268.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+472.99 грн
27+465.35 грн
39+317.71 грн
100+289.66 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 Виробник : STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.