Технічний опис STGW75M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGW75M65DF2 за ціною від 174.70 грн до 500.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 468 W |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: M Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 289.62 грн |
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 469.24 грн |
| 30+ | 259.57 грн |
| 120+ | 217.21 грн |
| 510+ | 174.70 грн |
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 497.40 грн |
| 41+ | 350.26 грн |
| 100+ | 294.57 грн |
| 250+ | 248.22 грн |
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 500.32 грн |
| 10+ | 497.40 грн |
| 25+ | 350.26 грн |
| 100+ | 294.57 грн |
| 250+ | 248.22 грн |
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGW75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)