STGW75M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 232.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW75M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGW75M65DF2 за ціною від 199.28 грн до 613.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 468 W |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |