Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW75M65DF2
STGW75M65DF2

STGW75M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00249589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.29 грн
30+260.15 грн
120+217.69 грн
510+175.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW75M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.

Інші пропозиції STGW75M65DF2 за ціною від 211.80 грн до 506.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW75M65DF2 STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.89 грн
10+465.52 грн
25+258.48 грн
100+221.56 грн
250+212.50 грн
600+211.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 STGW75M65DF2 STMICROELECTRONICS 4726816.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.40 грн
10+310.51 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
STGW75M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.89 грн
10+465.52 грн
25+258.48 грн
100+221.56 грн
250+212.50 грн
600+211.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 4726816.pdf
STGW75M65DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+506.40 грн
10+310.51 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.