Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW80H65DFB
STGW80H65DFB

STGW80H65DFB STMicroelectronics

stgwt80h65dfb.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW80H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGW80H65DFB за ціною від 200.08 грн до 788.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+242.69 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+472.91 грн
34+365.28 грн
50+330.22 грн
100+301.92 грн
200+265.72 грн
500+240.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+494.43 грн
39+320.06 грн
100+245.57 грн
250+210.00 грн
600+200.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+550.83 грн
10+544.25 грн
25+352.32 грн
100+270.32 грн
250+231.17 грн
600+220.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMICROELECTRONICS 2443309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+556.16 грн
5+507.06 грн
10+457.12 грн
50+378.87 грн
100+319.98 грн
250+290.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00079449.pdf IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.28 грн
25+394.85 грн
100+276.94 грн
600+246.76 грн
1200+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.89 грн
3+420.53 грн
7+397.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.27 грн
3+524.05 грн
7+477.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB
Код товару: 164114
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00079449.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.