Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGW80H65DFB за ціною від 142.47 грн до 469.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Collector current: 80A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 470W Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 414nC |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A |
на замовлення 4203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGW80H65DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGW80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGW80H65DFB | Виробник : STM |
IGBT 650V 120A 469W TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |