Продукція > Транзистори > IGBT > STGW80H65DFB

STGW80H65DFB

en.DM00079449.pdf
Код товару: 164114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGW80H65DFB за ціною від 141.56 грн до 569.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgw80h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.12 грн
5+275.27 грн
10+258.69 грн
30+223.86 грн
120+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.65 грн
30+232.34 грн
120+193.37 грн
510+154.66 грн
1020+144.88 грн
2010+141.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMICROELECTRONICS 2443309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.79 грн
5+416.27 грн
10+389.75 грн
50+338.03 грн
100+289.30 грн
250+266.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.14 грн
42+342.36 грн
60+271.28 грн
120+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB stgw80h65dfb.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.12 грн
5+275.27 грн
10+258.69 грн
30+223.86 грн
120+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB en.DM00079449.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.65 грн
30+232.34 грн
120+193.37 грн
510+154.66 грн
1020+144.88 грн
2010+141.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB 2443309.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+442.79 грн
5+416.27 грн
10+389.75 грн
50+338.03 грн
100+289.30 грн
250+266.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB stgwt80h65dfb.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+569.14 грн
42+342.36 грн
60+271.28 грн
120+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB en.DM00079449.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.