Продукція > STMICROELECTRONICS > STGW80V60DF
STGW80V60DF

STGW80V60DF STMicroelectronics

en.DM00079438.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+410.83 грн
10+303.40 грн
30+276.36 грн
120+236.69 грн
270+227.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW80V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGW80V60DF за ціною від 312.86 грн до 751.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGW80V60DF STGW80V60DF STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+751.28 грн
24+603.62 грн
50+531.56 грн
100+435.12 грн
200+386.02 грн
500+355.39 грн
1200+313.88 грн
2400+312.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STGW80V60DF STMICROELECTRONICS en.DM00079438.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF 1173dm00079438.pdf
STGW80V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+751.28 грн
24+603.62 грн
50+531.56 грн
100+435.12 грн
200+386.02 грн
500+355.39 грн
1200+313.88 грн
2400+312.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
STGW80V60DF
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.