
STGW80V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 452.82 грн |
10+ | 334.20 грн |
30+ | 304.39 грн |
120+ | 260.73 грн |
270+ | 250.05 грн |
510+ | 243.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW80V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції STGW80V60DF за ціною від 199.48 грн до 646.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 469W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 448nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 469W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 448nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
STGW80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |