STGW80V60DF

STGW80V60DF STMicroelectronics


en.DM00079438.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.31 грн
10+310.06 грн
30+282.47 грн
120+241.94 грн
270+232.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW80V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGW80V60DF за ціною від 206.58 грн до 654.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGW80V60DF STGW80V60DF Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS50660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+484.59 грн
5+411.94 грн
10+338.44 грн
50+267.44 грн
100+225.63 грн
250+206.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+654.44 грн
24+525.82 грн
50+463.05 грн
100+379.04 грн
200+336.26 грн
500+309.58 грн
1200+273.42 грн
2400+272.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.25 грн
3+378.07 грн
9+357.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STGW80V60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00079438.pdf IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.