STGWA100H65DFB2

STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics


stgwa100h65dfb2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+429.53 грн
31+397.24 грн
100+346.10 грн
250+310.56 грн
600+203.51 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 288 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 441 W.

Інші пропозиції STGWA100H65DFB2 за ціною від 206.01 грн до 590.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.93 грн
10+460.21 грн
25+425.62 грн
100+370.82 грн
250+332.75 грн
600+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 Виробник : STMICROELECTRONICS stgwa100h65dfb2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+553.62 грн
5+479.97 грн
10+406.33 грн
50+341.14 грн
100+280.80 грн
250+277.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.73 грн
25+426.96 грн
100+300.33 грн
600+206.76 грн
1200+206.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.