Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA100H65DFB2
STGWA100H65DFB2

STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics

stgwa100h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+484.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 288 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 441 W.

Інші пропозиції STGWA100H65DFB2 за ціною від 234.82 грн до 500.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.61 грн
31+458.36 грн
100+399.35 грн
250+358.34 грн
600+234.82 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.69 грн
10+495.61 грн
25+458.36 грн
100+399.35 грн
250+358.34 грн
600+234.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 STMICROELECTRONICS stgwa100h65dfb2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
STGWA100H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+495.61 грн
31+458.36 грн
100+399.35 грн
250+358.34 грн
600+234.82 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
STGWA100H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+500.69 грн
10+495.61 грн
25+458.36 грн
100+399.35 грн
250+358.34 грн
600+234.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
STGWA100H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
STGWA100H65DFB2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.