STGWA20M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.61 грн |
| 100+ | 227.12 грн |
| 600+ | 148.31 грн |
| 1200+ | 139.99 грн |
| 3000+ | 135.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA20M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns, Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 166 W.
Інші пропозиції STGWA20M65DF2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWA20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STGWA20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W |
товару немає в наявності |